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QS5W2TR Technische Spezifikationen

TRANS 2NPN 50V 3A TSMT5

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Arrays BJT-Transistoren
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 20 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Transistor Element Material SILICON
Packaging Cut Tape (CT)
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 1.25W
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 5
Qualification Status Not Qualified
Configuration COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type 2 NPN (Dual) Common Emitter
Max Collector Current 3A
Current - Collector Cutoff (Max) 1μA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Max Breakdown Voltage 50V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2015
Part Status Active
Number of Terminations 5
Subcategory Other Transistors
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PDSO-G5
Number of Elements 2
Power - Max 1.25W
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 350mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 180 @ 50mA 3V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 350mV @ 50mA, 1A
Transition Frequency 320MHz
Frequency - Transition 320MHz
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QS5W2TR LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays 6224

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