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QS6Z5TR Technische Spezifikationen

TRANS NPN/PNP 50V 1A TSMT6

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Arrays BJT-Transistoren
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 20 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Transistor Element Material SILICON
Packaging Cut Tape (CT)
JESD-609 Code e1
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 1.25W
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PDSO-G6
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type NPN, PNP
Max Collector Current 1A
Current - Collector Cutoff (Max) 1μA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Max Breakdown Voltage 50V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2016
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 6
Number of Elements 2
Power - Max 1.25W
Polarity/Channel Type NPN AND PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO) 350mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 180 @ 50mA 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 350mV @ 25mA, 500mA / 400mV @ 25mA, 500mA
Transition Frequency 360MHz
Frequency - Transition 360MHz 400MHz
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QS6Z5TR LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays 2758

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QS6Z5TR Markenhersteller: ROHM Semiconductor, Bonchip Aktie, QS6Z5TR Referenzpreis. QS6Z5TR Parameter, QS6Z5TR Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden QS6Z5TR Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden QS6Z5TR Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, QS6Z5TR Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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