QS8K2TR Technische Spezifikationen

MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSMT8

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2010
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 8
Max Power Dissipation 1.25W
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 8
Number of Channels 2
Turn On Delay Time 8 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.6nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Turn-Off Delay Time 29 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 12V
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
FET Feature Logic Level Gate
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Base Part Number *K2
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 54m Ω @ 3.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 285pF @ 10V
Rise Time 12ns
Fall Time (Typ) 13 ns
Continuous Drain Current (ID) 3.5A
Drain-source On Resistance-Max 0.077Ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
QS8K21TR LAPIS Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2652
QS8K21TR ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays
QS8K2TR LAPIS Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 362

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