QSL12TR Technische Spezifikationen

QSL12TR datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ROHM Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 20 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 5
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2005
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Pin Count 5
Polarity NPN
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type NPN + Diode (Isolated)
Max Collector Current 1A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 30V
Collector Emitter Saturation Voltage 120mV
Emitter Base Voltage (VEBO) 6V
Continuous Collector Current 1A
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e1
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 5
Terminal Finish TIN SILVER COPPER
Max Power Dissipation 500mW
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Gain Bandwidth Product 320MHz
Collector Emitter Voltage (VCEO) 30V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 270 @ 100mA 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 350mV @ 25mA, 500mA
Transition Frequency 320MHz
Collector Base Voltage (VCBO) 30V
hFE Min 270
Radiation Hardening No
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QSL12-TR ROHM Spezialisierte heiße ICs 3500
QSL12TR LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2531

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