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QST8TR Technische Spezifikationen

TRANS 2PNP 12V 1.5A 6TSMT

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Arrays BJT-Transistoren
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 20 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2004
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 1.25W
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Base Part Number QST
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Type 2 PNP (Dual)
Max Collector Current 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 12V
Collector Emitter Saturation Voltage -85mV
Collector Base Voltage (VCBO) -15V
hFE Min 270
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e1
Part Status Active
Number of Terminations 6
Subcategory Other Transistors
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 6
Polarity PNP
Power - Max 1.25W
Gain Bandwidth Product 400MHz
Collector Emitter Voltage (VCEO) 200mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 270 @ 200mA 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 25mA, 500mA
Transition Frequency 400MHz
Max Breakdown Voltage 12V
Emitter Base Voltage (VEBO) -6V
Continuous Collector Current -1.5A
RoHS Status ROHS3 Compliant
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