QSX6TR Technische Spezifikationen

QSX6TR datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ROHM Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 20 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2004
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 1.25W
Terminal Form GULL WING
Current Rating 1.5A
Base Part Number QSX
Element Configuration Single
Gain Bandwidth Product 300MHz
Transistor Type NPN
Max Collector Current 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 30V
Collector Emitter Saturation Voltage 140mV
Collector Base Voltage (VCBO) 30V
hFE Min 270
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e1
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 6
Terminal Finish TIN SILVER COPPER
Voltage - Rated DC 30V
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Number of Elements 1
Transistor Application AMPLIFIER
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 30V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 270 @ 100mA 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 350mV @ 50mA, 1A
Transition Frequency 300MHz
Max Breakdown Voltage 30V
Emitter Base Voltage (VEBO) 6V
Continuous Collector Current 1.5A
RoHS Status ROHS3 Compliant
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