QSZ1TR Technische Spezifikationen

TRANS NPN/PNP 15V 2A 5TSMT

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Arrays BJT-Transistoren
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 52 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 5
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2004
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type NPN, PNP (Emitter Coupled)
Max Collector Current 2A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 15V
Transition Frequency 360MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) 6V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e1
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 5
Terminal Finish TIN SILVER COPPER
Max Power Dissipation 1.25W
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Pin Count 5
Polarity NPN, PNP
Power - Max 500mW
Gain Bandwidth Product 360MHz
Collector Emitter Voltage (VCEO) 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 270 @ 200mA 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 180mV @ 50mA, 1A
Current - Collector (Ic) (Max) 2A
Collector Base Voltage (VCBO) 15V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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QSZ1TR LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays 2509

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