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QSZ2TR Technische Spezifikationen

TRANS NPN/PNP 30V 1.5A 5TSMT

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Arrays BJT-Transistoren
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 20 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 5
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2015
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 5
Polarity NPN, PNP
Power - Max 1.25W
Gain Bandwidth Product 280MHz
Collector Emitter Voltage (VCEO) 30V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 270 @ 100mA 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 350mV @ 50mA, 1A / 370mV @ 50mA, 1A
Transition Frequency 300MHz
Frequency - Transition 300MHz 280MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) 6V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e1
Part Status Active
Number of Terminations 5
Terminal Finish TIN SILVER COPPER
Max Power Dissipation 1.25W
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Base Part Number QSZ
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type NPN, PNP (Emitter Coupled)
Max Collector Current 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 30V
Max Breakdown Voltage 30V
Collector Base Voltage (VCBO) 30V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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QSZ2TR LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays 3532

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