RB541XNTR Technische Spezifikationen

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Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Gleichrichter-Dioden-Array
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Diode Element Material SILICON
Published 2014
Part Status Active
Number of Terminations 6
Max Operating Temperature 125°C
Voltage - Rated 50V
HTS Code 8541.10.00.70
Terminal Position DUAL
Base Part Number RB541XN
Case Code (Imperial) 0402
Element Configuration Single
Diode Type Schottky
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 530mV @ 100mA
Operating Temperature - Junction 125°C Max
Forward Voltage 350mV
Average Rectified Current 100mA
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm) 30V
Diode Configuration 3 Independent
Reverse Voltage (DC) 10V
Width 508μm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Weight 7.512624mg
Packaging Tape & Reel (TR)
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Min Operating Temperature -55°C
Additional Feature HIGH RELIABILITY
Capacitance 3.6pF
Terminal Form GULL WING
Case Code (Metric) 1005
Number of Elements 3
Speed Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Current - Reverse Leakage @ Vr 10μA @ 10V
Forward Current 10mA
Output Current-Max 0.1A
Max Reverse Voltage (DC) 30V
Peak Reverse Current 10μA
Peak Non-Repetitive Surge Current 500mA
Max Forward Surge Current (Ifsm) 500mA
Length 990.6μm
Thickness 558.8μm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
RB541VM-40 TE-17 LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 2170
RB541X LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 9464
RB541XN LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 2853
RB541XNFHTR ROHM Semiconductor Gleichrichter-Dioden-Array
RB541XNTR LAPIS Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Arrays 2516

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