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RBR1LAM30ATR Technische Spezifikationen

RBR1LAM30ATR datasheet pdf and Diodes - Rectifiers - Single product details from ROHM Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einphasen-Diodengleichrichter
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 20 Weeks
Package / Case SOD-128
Diode Element Material SILICON
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.10.00.80
Terminal Form FLAT
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Operating Temperature (Max) 150°C
Configuration SINGLE
Diode Type Schottky
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 480mV @ 1A
Operating Temperature - Junction 150°C Max
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 30V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Active
Number of Terminations 2
Additional Feature HIGH RELIABILITY
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PDSO-F2
Number of Elements 1
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr 50μA @ 30V
Forward Current 1A
Output Current-Max 1A
Rep Pk Reverse Voltage-Max 30V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
RBR1L30A LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 15000
RBR1L30ADD LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 15000
RBR1L30ATE25 LAPIS Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2786
RBR1L40A LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 15000
RBR1L40ADD LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 1768
RBR1L40ADD IC LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 1952
RBR1L40ATE25 LAPIS Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2663
RBR1L60A LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 15000
RBR1L60ADD LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 15000
RBR1L60ATE25 LAPIS Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Einzeln 2734

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