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RGS60TS65DHRC11
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RGS60TS65DHRC11 Technische Spezifikationen
650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT.
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiter / Einzelne IGBTs |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 8 Weeks |
Package / Case | TO-247-3 |
Part Status | Active |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Input Type | Standard |
Reverse Recovery Time | 103ns |
Current - Collector (Ic) (Max) | 56A |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 30A |
Gate Charge | 36nC |
Td (on/off) @ 25°C | 28ns/104ns |
RoHS Status | RoHS Compliant |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -40°C~175°C TJ |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Power - Max | 223W |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Test Condition | 400V, 30A, 10 Ω, 15V |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 90A |
Switching Energy | 660μJ (on), 810μJ (off) |
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Datenblätter
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Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
RGS60TS65DHR IC | LAPIS Semiconductor | Spezialisierte heiße ICs | 989 |
RGS60TS65HRC11 | ROHM Semiconductor | Einzelne IGBTs |
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