RGW00TS65DGC11 Technische Spezifikationen

650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne IGBTs
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 17 Weeks
Package / Case TO-247-3
Transistor Element Material SILICON
Part Status Active
Number of Terminations 3
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Power - Max 254W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Turn On Time 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 50A
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 200A
Switching Energy 1.18mJ (on), 960μJ (off)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Position SINGLE
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Input Type Standard
Transistor Application POWER CONTROL
Reverse Recovery Time 95ns
Current - Collector (Ic) (Max) 96A
Test Condition 400V, 50A, 10 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 273 ns
Gate Charge 141nC
Td (on/off) @ 25°C 52ns/180ns
RoHS Status ROHS3 Compliant
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RGW00TK65DGVC11 LAPIS Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 2708
RGW00TK65DGVC11 ROHM Semiconductor Einzelne IGBTs
RGW00TK65GVC11 LAPIS Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 0
RGW00TK65GVC11 ROHM Semiconductor Einzelne IGBTs
RGW00TS65DGC11 LAPIS Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 0
RGW00TS65GC11 LAPIS Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 2752
RGW00TS65GC11 ROHM Semiconductor Einzelne IGBTs

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