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RGW80TK65GVC11 Technische Spezifikationen

650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne IGBTs
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 17 Weeks
Package / Case TO-3PFM, SC-93-3
Transistor Element Material SILICON
Part Status Active
Number of Terminations 3
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Configuration SINGLE
Input Type Standard
Transistor Application POWER CONTROL
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Turn On Time 59 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 40A
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 160A
Switching Energy 760μJ (on), 720μJ (off)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Position SINGLE
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Case Connection ISOLATED
Power - Max 81W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Current - Collector (Ic) (Max) 39A
Test Condition 400V, 40A, 10 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 232 ns
Gate Charge 110nC
Td (on/off) @ 25°C 44ns/143ns
RoHS Status ROHS3 Compliant
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RGW80TK65DGVC11 LAPIS Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 2785
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RGW80TK65GVC11 Markenhersteller: ROHM Semiconductor, Bonchip Aktie, RGW80TK65GVC11 Referenzpreis. RGW80TK65GVC11 Parameter, RGW80TK65GVC11 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden RGW80TK65GVC11 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden RGW80TK65GVC11 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, RGW80TK65GVC11 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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