RK7002BMT116 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 60V 0.25A SST3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Active
Number of Terminations 3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PDSO-G3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Power Dissipation-Max 200mW Ta
Turn On Delay Time 3.5 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 250mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 2.5V 10V
Fall Time (Typ) 28 ns
Continuous Drain Current (ID) 250mA
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.25A
Drain to Source Breakdown Voltage 60V
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2014
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Number of Channels 1
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4 Ω @ 250mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 15pF @ 25V
Rise Time 5ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 18 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 3.2Ohm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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