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RQ3E080GNTB Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 30V 8A 8-HSMT

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 20 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2013
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2W Ta 15W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.7m Ω @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 295pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.8nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 2.4 ns
Continuous Drain Current (ID) 8A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 8A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 32A
Height 900μm
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerVDFN
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Active
Number of Terminations 5
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form FLAT
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PDSO-F5
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 2W
Turn On Delay Time 6.9 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A Ta
Rise Time 3.6ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 17.3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
Max Junction Temperature (Tj) 150°C
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
RQ3E070BN QQ2850920 Spezialisierte heiße ICs 2825
RQ3E070BNF07TB IC LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 299
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