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RTQ030P02TR Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 20V 3A TSMT6

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e1
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 6
ECCN Code EAR99
Voltage - Rated DC -20V
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 1.25W
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80m Ω @ 3A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 800pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Vgs (Max) ±12V
Turn-Off Delay Time 50 ns
Threshold Voltage -2V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 3A
Drain to Source Breakdown Voltage -20V
Nominal Vgs -2 V
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2003
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination SMD/SMT
Subcategory Other Transistors
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Current Rating -3A
Pin Count 6
Power Dissipation-Max 1.25W Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 15 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A Ta
Rise Time 27ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 2.5V 4.5V
Fall Time (Typ) 27 ns
Continuous Drain Current (ID) 3A
Gate to Source Voltage (Vgs) 12V
Drain-source On Resistance-Max 0.09Ohm
Dual Supply Voltage -20V
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
RTQ030P02 VISHAY Spezialisierte heiße ICs 5577
RTQ030P02 TR ROHM Spezialisierte heiße ICs 3859
RTQ030P02FRA ROHM Spezialisierte heiße ICs 10100
RTQ030P02FRA MOS LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 3355
RTQ030P02TR LAPIS Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 30955
RTQ030P02TR IC LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 679
RTQ035N03 ROHM Spezialisierte heiße ICs 121012
RTQ035N03 TR ROHM Spezialisierte heiße ICs 38850
RTQ035N03-TR ROHM Spezialisierte heiße ICs 762
RTQ035N03FRA ROHM Spezialisierte heiße ICs 3000

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