SH8K10SGZETB Technische Spezifikationen

SH8K10S IS A POWER MOSFET WITH L

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Packaging Cut Tape (CT)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A Ta 8.5A Ta
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C TJ
Part Status Last Time Buy
Power - Max 1.4W Ta
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24m Ω @ 7A, 10V, 19.6m Ω @ 8.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 660pF 830F @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.8nC, 17.8nC @ 5V
FET Feature Standard
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
SH8K1 LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 10430
SH8K1 TB1 ROHM Spezialisierte heiße ICs 12795
SH8K11 R Spezialisierte heiße ICs 12850
SH8K11 MOS VBSEMI Spezialisierte heiße ICs 19324
SH8K11MGATB ROHM Spezialisierte heiße ICs 5000
SH8K11TB ROHM Spezialisierte heiße ICs 3123
SH8K11TB1 ROHM Spezialisierte heiße ICs 1307
SH8K12 R Spezialisierte heiße ICs 16356
SH8K12 MOS VBSEMI Spezialisierte heiße ICs 16186
SH8K12GZETB ROHM Spezialisierte heiße ICs 2728

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