SH8K37GZETB Technische Spezifikationen

4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. SH8K37G

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Cut Tape (CT)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 46m Ω @ 5.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 500pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.7nC @ 10V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 5.5A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 18A
Avalanche Energy Rating (Eas) 4.7 mJ
FET Feature Standard
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature 150°C TJ
Part Status Active
Number of Terminations 8
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PDSO-G8
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Power - Max 1.4W Ta
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.7V @ 100μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.5A Ta
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Drain-source On Resistance-Max 0.066Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 60V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
SH8K32 Rohm Spezialisierte heiße ICs 10762
SH8K32GZETB ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays
SH8K32TB R Spezialisierte heiße ICs 10433
SH8K32TB MOS VBSEMI Spezialisierte heiße ICs 19291
SH8K32TB1 LAPIS Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 4635
SH8K32TB1 ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays
SH8K39GZETB ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays
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