SH8M2TB1 Technische Spezifikationen

MOSFET N/P-CH 30V 3.5A SOP8

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 20 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2009
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Max Power Dissipation 2W
Power Dissipation 2W
FET Type N and P-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.5A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
FET Feature Standard
Rds On Max 83 mΩ
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Supplier Device Package 8-SOP
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Not For New Designs
Max Operating Temperature 150°C
Base Part Number *M2
Power - Max 2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 83mOhm @ 3.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 140pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.5nC @ 5V
Continuous Drain Current (ID) 3.5A
Input Capacitance 140pF
Drain to Source Resistance 107mOhm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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SH8M24 ROHM Spezialisierte heiße ICs 685
SH8M24GZETB ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays
SH8M24TB R Spezialisierte heiße ICs 5491
SH8M24TB1 LAPIS Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 5201
SH8M24TB1 ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays
SH8M24TB1 IC LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 27733
SH8M2TB ROHM Spezialisierte heiße ICs 461
SH8M2TB MOS VBSEMI Spezialisierte heiße ICs 18884
SH8M2TB1 LAPIS Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 7498
SH8M2TB1 MOS LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 5248

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