SP8K22FU6TB Technische Spezifikationen

MOSFET 2N-CH 45V 4.5A 8SOIC

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2006
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Subcategory FET General Purpose Power
Base Part Number *K22
Power - Max 2W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 46m Ω @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 550pF @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 45V
Threshold Voltage 2.5V
FET Feature Logic Level Gate
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Obsolete
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 2W
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.6nC @ 5V
Continuous Drain Current (ID) 4.5A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
REACH SVHC No SVHC
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
SP8K2 ROHM Spezialisierte heiße ICs 70390
SP8K2 TB ROHM Spezialisierte heiße ICs 3133
SP8K2-TB R Spezialisierte heiße ICs 12970
SP8K2-TB MOS VBSEMI Spezialisierte heiße ICs 19417
SP8K2-TB. ROHM Spezialisierte heiße ICs 5875
SP8K22 ROHM Spezialisierte heiße ICs 6253
SP8K22 FU6TB ROHM Spezialisierte heiße ICs 2770
SP8K22 FU7TB ROHM Spezialisierte heiße ICs 4975
SP8K22 TB LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 12016
SP8K22-TB R Spezialisierte heiße ICs 17898

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