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UMC3NTR Technische Spezifikationen

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT5

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / BJT-Transistor-Arrays
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 5
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Max Power Dissipation 150mW
Pin Count 5
Polarity NPN, PNP
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 10mA
Transition Frequency 250MHz
hFE Min 30
Resistor - Emitter Base (R2) 10k Ω
Radiation Hardening No
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 5
Published 1998
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Min Operating Temperature -55°C
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 2
Configuration CASCADED, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Frequency - Transition 250MHz
Resistor - Base (R1) 10k Ω
VCEsat-Max 0.3 V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
UMC3N ROHM Spezialisierte heiße ICs 9333
UMC3N C3 CJ Spezialisierte heiße ICs 4666
UMC3N TR ROHM Spezialisierte heiße ICs 3316
UMC3N TR IC LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 3177
UMC3N##QQQQQQQQ JSCJ Spezialisierte heiße ICs 6237
UMC3N-TG WILLAS Spezialisierte heiße ICs 1006
UMC3NC3 CJ Spezialisierte heiße ICs 39000
UMC3NT1 ON Spezialisierte heiße ICs 3467
UMC3NT1 Rochester Electronics, LLC Spezialisierte Transistoren
UMC3NT1 ON SEMICONDUCTOR Spezialisierte Transistoren

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