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UMD5NTR Technische Spezifikationen

TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / BJT-Transistor-Arrays
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Published 2004
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Max Power Dissipation 120mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Base Part Number *MD5
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA 5V / 30 @ 10mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 10mA
Transition Frequency 250MHz
Frequency - Transition 250MHz
Resistor - Base (R1) 47k Ω, 4.7k Ω
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e2
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish TIN COPPER
Min Operating Temperature -55°C
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 6
Polarity NPN, PNP
Power - Max 150mW 120mW
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Max Breakdown Voltage 50V
hFE Min 68
Resistor - Emitter Base (R2) 47k Ω, 10k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
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UMD5NTR Unterlagen

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  • Datenblätter

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Die folgenden Teile umfassen  'UMD5N' 

Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
UMD5N Original Spezialisierte heiße ICs 60426
UMD5N TR LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 170
UMD5NTN LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 2848
UMD5NTR LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 80183

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