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UMF8NTR Technische Spezifikationen

TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W UMT6

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / BJT-Transistor-Arrays
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e2
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 6
Terminal Finish TIN COPPER
Min Operating Temperature -55°C
Subcategory Other Transistors
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Max Output Current 30mA
Polarity NPN, PNP
Max Supply Voltage 50V
Min Input Voltage -10V
Max Input Voltage 40V
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA 5V / 270 @ 10mA 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V 15V
Transition Frequency 250MHz
hFE Min 68
Resistor - Emitter Base (R2) 47k Ω
REACH SVHC No SVHC
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Published 2008
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1
Max Power Dissipation 150mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Pin Count 6
Number of Elements 2
Number of Channels 2
Element Configuration Dual
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
Max Collector Current 500mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 15V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA 500mA
Frequency - Transition 250MHz
Resistor - Base (R1) 47k Ω
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
UMF8N ROHM Spezialisierte heiße ICs 6462
UMF8NTR LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 6397

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