UMH1NTN Technische Spezifikationen

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / BJT-Transistor-Arrays
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Package / Case SOT-363
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e2
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin/Copper (Sn/Cu)
Min Operating Temperature -55°C
HTS Code 8541.21.00.75
Voltage - Rated DC 50V
Terminal Form GULL WING
Current Rating 30mA
Pin Count 6
Polarity NPN
Power Dissipation 150mW
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300mV
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Max Breakdown Voltage 50V
DC Current Gain-Min (hFE) 56
VCEsat-Max 0.3 V
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Number of Pins 6
Published 2004
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 150mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Transistor Application SWITCHING
Max Collector Current 100mA
Transition Frequency 250MHz
hFE Min 56
Continuous Collector Current 100mA
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
UMH1N SOT23-6 Spezialisierte heiße ICs 3390
UMH1N-TP Micro Commercial Components (MCC) Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 2779
UMH1N-TP Micro Commercial Co BJT-Transistor-Arrays
UMH1NFHATN ROHM Semiconductor BJT-Transistor-Arrays
UMH1NTN LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet 73764
UMH1NTR ROHM Spezialisierte heiße ICs 2969

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