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UMH1NTN Technische Spezifikationen
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiter / BJT-Transistor-Arrays |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 10 Weeks |
Package / Case | SOT-363 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e2 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 6 |
Terminal Finish | Tin/Copper (Sn/Cu) |
Min Operating Temperature | -55°C |
HTS Code | 8541.21.00.75 |
Voltage - Rated DC | 50V |
Terminal Form | GULL WING |
Current Rating | 30mA |
Pin Count | 6 |
Polarity | NPN |
Power Dissipation | 150mW |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 300mV |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Max Breakdown Voltage | 50V |
DC Current Gain-Min (hFE) | 56 |
VCEsat-Max | 0.3 V |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Number of Pins | 6 |
Published | 2004 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Max Operating Temperature | 150°C |
Additional Feature | BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1 |
Subcategory | BIP General Purpose Small Signal |
Max Power Dissipation | 150mW |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 10 |
Number of Elements | 2 |
Element Configuration | Dual |
Transistor Application | SWITCHING |
Max Collector Current | 100mA |
Transition Frequency | 250MHz |
hFE Min | 56 |
Continuous Collector Current | 100mA |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
UMH1NTN Unterlagen
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation herunter für UMH1NTN
-
Datenblätter
Andere schließen ein "UMH1N" Teile
Die folgenden Teile umfassen 'UMH1N'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
UMH1N | SOT23-6 | Spezialisierte heiße ICs | 3390 |
UMH1N-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet | 2779 |
UMH1N-TP | Micro Commercial Co | BJT-Transistor-Arrays | |
UMH1NFHATN | ROHM Semiconductor | BJT-Transistor-Arrays | |
UMH1NTN | LAPIS Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet | 73764 |
UMH1NTR | ROHM | Spezialisierte heiße ICs | 2969 |
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