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UMT2NTR Technische Spezifikationen

TRANS 2PNP 50V 0.15A 6UMT

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Arrays BJT-Transistoren
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e2
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 6
ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.21.00.75
Voltage - Rated DC -50V
Terminal Form GULL WING
Current Rating -150mA
Base Part Number MT2
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Type 2 PNP (Dual)
Max Collector Current 150mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Transition Frequency 140MHz
Max Breakdown Voltage 50V
Emitter Base Voltage (VEBO) -6V
Continuous Collector Current -150mA
Height 900μm
Width 1.25mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2004
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination SMD/SMT
Terminal Finish Tin/Copper (Sn/Cu)
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 150mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 6
Polarity PNP
Power Dissipation 150mW
Gain Bandwidth Product 140MHz
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA 6V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 5mA, 50mA
Max Frequency 100MHz
Collector Emitter Saturation Voltage -500mV
Collector Base Voltage (VCBO) 60V
hFE Min 120
VCEsat-Max 0.5 V
Length 2mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Die folgenden Teile umfassen  'UMT2N' 

Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
UMT2N ROHM Spezialisierte heiße ICs 36938
UMT2NFHATR ROHM Spezialisierte heiße ICs 10254
UMT2NTR LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays 92704

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