UMZ7NTR Technische Spezifikationen

TRANS NPN/PNP 12V 0.5A 6UMT

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Arrays BJT-Transistoren
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2012
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.21.00.75
Max Power Dissipation 150mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 6
Polarity NPN, PNP
Gain Bandwidth Product 260MHz
Collector Emitter Voltage (VCEO) 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 270 @ 10mA 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 200mA
Transition Frequency 320MHz
Max Breakdown Voltage 12V
Collector Base Voltage (VCBO) 15V
hFE Min 270
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e2
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 6
Terminal Finish TIN COPPER
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Terminal Form GULL WING
Current Rating 500mA
Base Part Number *MZ7
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Transistor Type NPN, PNP
Max Collector Current 500mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 12V
Collector Emitter Saturation Voltage -100mV
Frequency - Transition 320MHz 260MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) 6V
Continuous Collector Current 500mA
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
UMZ7N LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 150000
UMZ7N TR ROHM Spezialisierte heiße ICs 5160
UMZ7NTR LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays 3322

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