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US6T4TR Technische Spezifikationen

US6T4TR datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ROHM Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2007
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Terminal Position DUAL
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 6
Element Configuration Single
Gain Bandwidth Product 280MHz
Transistor Type PNP
Max Collector Current 3A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 12V
Transition Frequency 280MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) 6V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 6-SMD, Flat Leads
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e2
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 6
Terminal Finish TIN COPPER
Max Power Dissipation 1W
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Base Part Number US6T
Number of Elements 1
Transistor Application AMPLIFIER
Polarity/Channel Type PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO) 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 270 @ 500mA 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 30mA, 1.5A
Current - Collector (Ic) (Max) 3A
Collector Base Voltage (VCBO) 15V
hFE Min 270
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
US6T4 ROHM Spezialisierte heiße ICs 9419
US6T4 TR ROHM Spezialisierte heiße ICs 3274
US6T4TR LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 18082

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