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US6T7TR Technische Spezifikationen

US6T7TR datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ROHM Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 6-SMD, Flat Leads
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e2
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 6
Terminal Finish TIN COPPER
Voltage - Rated DC -30V
Terminal Position DUAL
Current Rating -1.5A
Base Part Number US6T
Number of Elements 1
Power - Max 1W
Gain Bandwidth Product 280MHz
Transistor Type PNP
Max Collector Current 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 30V
Max Breakdown Voltage 30V
Emitter Base Voltage (VEBO) 6V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2007
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 1W
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 6
Element Configuration Single
Transistor Application AMPLIFIER
Polarity/Channel Type PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO) 30V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 270 @ 100mA 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 370mV @ 50mA, 1A
Transition Frequency 280MHz
Collector Base Voltage (VCBO) 30V
hFE Min 270
RoHS Status ROHS3 Compliant
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US6T7 TR ROHM Spezialisierte heiße ICs 3500
US6T7TR LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 3354

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