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US6T8TR Technische Spezifikationen

PNP+PNP DRIVER TRANSISTOR

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Arrays BJT-Transistoren
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Package / Case 6-SMD, Flat Leads
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e2
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish TIN COPPER
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Pin Count 6
Qualification Status Not Qualified
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Type 2 PNP (Dual)
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 12V
Transition Frequency 400MHz
Power Dissipation-Max (Abs) 0.4W
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2007
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
JESD-30 Code R-PDSO-F6
Number of Elements 2
Power - Max 400mW
Polarity/Channel Type PNP
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 270 @ 200mA 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector (Ic) (Max) 1.5A
Frequency - Transition 400MHz
RoHS Status ROHS3 Compliant
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