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UT6JA3TCR Technische Spezifikationen

UT6JA3 IS A POWER MOSFET WITH LO

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Package / Case 8-PowerUDFN
Transistor Element Material SILICON
Packaging Cut Tape (CT)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PDSO-N6
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Case Connection DRAIN
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 59m Ω @ 5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 460pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.5nC @ 4.5V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 5A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 12A
Avalanche Energy Rating (Eas) 4 mJ
FET Feature Standard
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature 150°C TJ
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Form NO LEAD
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Power - Max 2W Ta
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A Ta
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.059Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 20V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS Status ROHS3 Compliant
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UT6JA2TCR LAPIS Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2676
UT6JA2TCR ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays

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