VT6Z2T2R Technische Spezifikationen

TRANS NPN/PNP 50V 0.1A 6VMT

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Arrays BJT-Transistoren
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2015
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Terminal Form FLAT
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type NPN, PNP
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Collector Emitter Saturation Voltage -150mV
Collector Base Voltage (VCBO) 50V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 6-SMD
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e2
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish TIN COPPER
Max Power Dissipation 150mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Pin Count 6
Polarity NPN, PNP
Power - Max 150mW
Gain Bandwidth Product 300MHz
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA 6V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 50mA
Transition Frequency 350MHz
Frequency - Transition 350MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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VT6Z2T2R LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays 2530

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