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2SK1070PIETR-E Technische Spezifikationen

JFET N-CH MPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / JFETs Transistoren
Manufacturer Renesas Electronics America
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature 150°C
JESD-609 Code e6
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Subcategory Other Transistors
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code compliant
Pin Count 3
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE
Power - Max 150mW
Transistor Application AMPLIFIER
FET Technology JUNCTION
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 12mA @ 5V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) 22V
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.21.00.95
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 20
JESD-30 Code R-PDSO-G3
Number of Elements 1
Operating Mode DEPLETION MODE
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9pF @ 5V
Power Dissipation-Max (Abs) 0.15W
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id 0V @ 10μA
Current Drain (Id) - Max 50mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
2SK1001 NEC Spezialisierte heiße ICs 3000
2SK1001-T NEC Spezialisierte heiße ICs 18200
2SK1001-T1B RENESAS Spezialisierte heiße ICs 4000
2SK1001-T1B X43 X42 Renesas Electronics America Spezialisierte heiße ICs 1323
2SK1001-T2B NEC Spezialisierte heiße ICs 3000
2SK1002 NEC Spezialisierte heiße ICs 177000
2SK1002-K NEC Spezialisierte heiße ICs 5999
2SK1002-K MOS NEC Spezialisierte heiße ICs 2755
2SK1006 Original Spezialisierte heiße ICs 11023
2SK1006 K1006 Fujitsu Electronics America, Inc. Spezialisierte heiße ICs 753

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