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2SK1775-E Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 900V 8A TO-3P

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Renesas Electronics America
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id -
Supplier Device Package TO-3P
Power Dissipation (Max) 60W (Tc)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6 Ohm @ 4A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1730pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 900V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
2SK170 TOS Spezialisierte heiße ICs 396
2SK170-BL Original Spezialisierte heiße ICs 5397
2SK170-BL(F) TOS Spezialisierte heiße ICs 3905
2SK170-GR Original Spezialisierte heiße ICs 11194
2SK170-GR-T TOS Spezialisierte heiße ICs 2500
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2SK1717 T100R Toshiba Semiconductor and Storage Spezialisierte heiße ICs 446
2SK1719 TOSHIBA Spezialisierte heiße ICs 1365

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