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HAT2172H-EL-E Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 40V 30A LFPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Renesas Electronics America
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Supplier Device Package LFPAK
Power Dissipation (Max) 20W (Tc)
Package / Case SC-100, SOT-669
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5 mOhm @ 15A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2420pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
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