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HAT2299WP-EL-E Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH WPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Renesas Electronics America
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id -
Supplier Device Package 8-WPAK
Power Dissipation (Max) 25W (Tc)
Package / Case 8-PowerWDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110 mOhm @ 7A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 710pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 150V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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