HD1A3M(0)-T1-AZ Technische Spezifikationen

TRANSISTOR NPN SC62-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / BJT-Transistor-Arrays
Manufacturer Renesas Electronics America
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Obsolete
Power - Max 2W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 1A 2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Resistor - Base (R1) 1k Ω
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case TO-243AA
Series HD1
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Transistor Type 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
Resistor - Emitter Base (R2) 1k Ω
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
HD1A3M-T1 NEC Spezialisierte heiße ICs 4567
HD1A3M-T1-AZ NEC Spezialisierte heiße ICs 21327
HD1A3M-T2 NEC Spezialisierte heiße ICs 2537

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