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NP109N04PUK-E1-AY Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 40V 110A TO-263

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Renesas Electronics America
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-263 (D²Pak)
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta), 250W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 189nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 110A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.75 mOhm @ 55A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10800pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
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