NP50P03YDG-E1-AY Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 30V 50A 8HSON

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Renesas Electronics America
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package 8-HSON
Power Dissipation (Max) 1W (Ta), 102W (Tc)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 96nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.4 mOhm @ 25A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3500pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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