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NP80N04KHE-E1-AY Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 40V 80A TO-263

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Renesas Electronics America
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-263
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta), 120W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 mOhm @ 40A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3300pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
NP80N03CLE NEC-1 Spezialisierte heiße ICs 2590
NP80N03KDE-E1-AY NEC/RENESAS Spezialisierte heiße ICs 10000
NP80N03KLE MOS VBSEMI Spezialisierte heiße ICs 5525
NP80N03MDE R Spezialisierte heiße ICs 10500
NP80N03MLE R Spezialisierte heiße ICs 10000
NP80N03NDE ST Spezialisierte heiße ICs 6000
NP80N04 NA Spezialisierte heiße ICs 253
NP80N04CHE NEC Spezialisierte heiße ICs 10261
NP80N04DHE NEC Spezialisierte heiße ICs 16400
NP80N04EHE NEC Spezialisierte heiße ICs 2950

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