RJK2511DPK-00#T0 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 250V 65A TO3P

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Renesas Electronics America
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id -
Supplier Device Package TO-3P
Power Dissipation (Max) 200W (Tc)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 65A (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34 mOhm @ 32.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4900pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
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