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RJL6012DPE-00#J3 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 600V 10A LDPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Renesas Electronics America
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id -
Supplier Device Package 4-LDPAK
Power Dissipation (Max) 100W (Tc)
Package / Case SC-83
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1 Ohm @ 5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1050pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
RJL6013DPE-00#J3 Renesas Electronics America Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2629
RJL6018DPK-00#T0 Renesas Electronics America Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2553
RJL6020DPK-00#T0 Renesas Electronics America Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2511
RJL6032 RENESAS Spezialisierte heiße ICs 2757
RJL6032 IC Renesas Electronics America Spezialisierte heiße ICs 610
RJL6032DPP-M0 VBSEMI Spezialisierte heiße ICs 10268
RJL60S5 Renesas Electronics America Spezialisierte heiße ICs 1348

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