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RJP6085DPK-00#T0 Technische Spezifikationen

IGBT 600V 40A 178.5W TO-3P

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Einzel
Manufacturer Renesas Electronics America
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Test Condition -
Switching Energy -
Power - Max 178.5W
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type Through Hole
IGBT Type -
Current - Collector (Ic) (Max) 40A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.5V @ 15V, 40A
Td (on/off) @ 25°C -
Supplier Device Package TO-3P
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Type Standard
Current - Collector Pulsed (Icm) -
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
RJP6006 Renesas Electronics America Spezialisierte heiße ICs 497
RJP6016JPE RENESAS Spezialisierte heiße ICs 2529
RJP6045 HITACHI Spezialisierte heiße ICs 48
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RJP6047DPK HITACHI Spezialisierte heiße ICs 49
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