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UPA2630T1R-E2-AX Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 12V 7A 6SON

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Renesas Electronics America
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id -
Supplier Device Package 6-HUSON (2x2)
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Package / Case 6-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.3nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 59 mOhm @ 3.5A, 1.8V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1260pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
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UPA2672T1R-E2-AX Renesas Electronics America Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2761
UPA2680 NEC Spezialisierte heiße ICs 13200
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