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UPA2821T1L-E1-AT Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 30V 26A 8HVSON

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Renesas Electronics America
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id -
Supplier Device Package 8-HWSON (3.3x3.3)
Power Dissipation (Max) 1.5W (Ta)
Package / Case 8-PowerWDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 51nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 26A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8 mOhm @ 26A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2490pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
UPA2801T1L N Spezialisierte heiße ICs 3500
UPA2801UT1L NEC Spezialisierte heiße ICs 1458
UPA2802T1L-E1-AY NEC Spezialisierte heiße ICs 323
UPA2802T1L-E2 RENESAS Spezialisierte heiße ICs 2044
UPA2802T1L-E2-AY RENESAS Spezialisierte heiße ICs 561
UPA2803T1L-E1-AY NEC Spezialisierte heiße ICs 769
UPA2803T1L-E2 RENESAS Spezialisierte heiße ICs 3322
UPA2803T1L-E2-AY RENESAS Spezialisierte heiße ICs 56365
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UPA2805UT1L NEC Spezialisierte heiße ICs 2610

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