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BU508AF Technische Spezifikationen
TRANS NPN 700V 8A ISOWATT218FX
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 700V |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 50W |
Package / Case | ISOWATT218FX |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 100mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 8A |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 1.6A, 4.5A |
Supplier Device Package | ISOWATT-218FX |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 200µA |
BU508AF Unterlagen
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-
Datenblätter
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Die folgenden Teile umfassen 'BU508'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
BU508 | PHILIPS | Spezialisierte heiße ICs | 5 |
BU508A | STMicroelectronics | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel | 2235 |
BU508A-2 | ISC | Spezialisierte heiße ICs | 436 |
BU508A-GR2 | Sanyo Semiconductor | Spezialisierte heiße ICs | 100 |
BU508AFI | STMicroelectronics | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel | 2256 |
BU508AFTBTU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel | 2747 |
BU508AFTBTU | Fairchild/ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel | 2560 |
BU508AM | Sanyo Semiconductor | Spezialisierte heiße ICs | 2610 |
BU508AS | PHI | Spezialisierte heiße ICs | 5 |
BU508AW | STMicroelectronics | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel | 2324 |
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