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STB12NM50T4 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 50µA
Supplier Device Package D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350 mOhm @ 6A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1000pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 550V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series MDmesh™
Power Dissipation (Max) 160W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
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