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STB16NK65Z-S Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 650V 13A I2SPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package I2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500 mOhm @ 6.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2750pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series SuperMESH™
Power Dissipation (Max) 190W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 89nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Tc)
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STB160N75F3 STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 5477
STB160N75F3 MOS ST Spezialisierte heiße ICs 1681
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