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STB36NM60ND Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series FDmesh™ II
Power Dissipation (Max) 190W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80.4nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±25V
Supplier Device Package D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110 mOhm @ 14.5A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2785pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 29A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
STB36NF02L ST Spezialisierte heiße ICs 2500
STB36NF02L-TR VB Spezialisierte heiße ICs 5000
STB36NF03L ST Spezialisierte heiße ICs 343
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