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STB4N62K3 Technische Spezifikationen
MOSFET N-CH 620V 3.8A D2PAK
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
Supplier Device Package | D2PAK |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.95 Ohm @ 1.9A, 10V |
Packaging | Cut Tape (CT) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 450pF @ 50V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 620V |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | SuperMESH3™ |
Power Dissipation (Max) | 70W (Tc) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.8A (Tc) |
STB4N62K3 Unterlagen
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-
Datenblätter
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Andere schließen ein "STB4N" Teile
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Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
STB4N80ET4 | ON | Spezialisierte heiße ICs | 2576 |
STB4NB80T4 | STM | Spezialisierte heiße ICs | 3335 |
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