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STB57N65M5 Technische Spezifikationen
MOSFET N-CH 650V 42A D2PAK
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | MDmesh™ V |
Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 98nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±25V |
Supplier Device Package | D2PAK |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 63 mOhm @ 21A, 10V |
Packaging | Original-Reel® |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4200pF @ 100V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 42A (Tc) |
STB57N65M5 Unterlagen
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-
Datenblätter
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Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
STB5701 | ST | Spezialisierte heiße ICs | 2755 |
STB5701TR | ST | Spezialisierte heiße ICs | 1957 |
STB5701TR IC | ST | Spezialisierte heiße ICs | 1960 |
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